v 應用：用于半導體材料內(nèi)部含量檢測,同質(zhì)外延厚度測量和其他應用，用于的半導體工廠，在硅生長和器件制造領域進行材料表征

v 光譜范圍：遠紅外、中紅外、近紅外、可見光

v 信噪比：>55000:1

v 光譜分辨率（cm-1）：<0.09電阻率: 1.0μ - 300.0k Ω.cm